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湖北日报讯（记者张真真、通讯员张希为）8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）器件晶圆下线。至此，该实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

碳化硅（SiC）沟槽结构因其可增加单元密度等独特优势，被认为是碳化硅MOSFET器件未来的主流设计，国内尚处于追赶阶段。

九峰山实验室在充分调研及大量验证测试的基础上，充分梳理关键工艺及工艺风险点，周密制定开发计划，在4个月内连续攻克碳化硅（SiC）器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。

SiC是化合物半导体材料，具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。在智能网联汽车、新能源储能等新兴赛道的高速牵引下，化合物半导体快步走向台前。

瞄准化合物半导体领域，作为九大湖北实验室之一的九峰山实验室，成立于2021年，不到两年便建设完成，今年3月投运，已建成目前全球化合物半导体产业最先进、规模最大的科研和中试平台，以及先进的专业检测平台。

今年3月，九峰山实验室8寸线已实现第一批研发产品样品交付。

该实验室相关负责人表示，未来将继续以基础性、前瞻性、特色性的原创成果和优质资源支持产业界解决关键工艺难题，为合作伙伴提供中立、开放的创新工艺研发平台，加速技术创新。

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